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存储器

RAM(Random Access Memory)

随机存储器,通过逻辑电路读写,读写任意存储单元所需的时间与存储单元位置无关。如:内存条

SAM(Sequential Access Memory)

顺序存储器,读写一个存储单元所需时间与所在位置有关。如:磁带

DAM(Direct Access Memory)

直接存储器,信息所在区域是随机的,信息在其区域内部按顺序存储。如:机械硬盘

随机存储器(RAM)

DRAM(Dynamic Random Access Memory)

动态RAM,通常用于主存(内存),内部采用栅极电容储存信息。当字选择线接通时,虚线所对应半导体元件接通,电容放电,数据线在读取电容信息后,会导致原信息被擦除,因此读取完需要重写操作,读取速度比DRAM更慢,但集成度更高

DearXuan

SRAM(Static Random Access Memory)

静态RAM,常用于Cache。使用双稳态触发器存储信息,读取数据不会修改原数据内容,因此读取速度比DRAM更快,但集成度更低

DearXuan

DRAM与SRAM的比较

DearXuan

只读存储器(ROM)

MROM(Mask Read-Only Memory)

掩模式只读存储器,仅由厂家在出场时直接写入数据,之后再也无法修改

PROM(Programmable Read-Only Memory)

可编程只读存储器,用户可以通过PROM写入器写入信息,但是写入一次之后就再也无法修改

EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

可擦除可编程只读存储器,可以进行多次读写,但是写入前必须擦除原数据

UVEPROM通过紫外光擦除信息,每次会擦除全部信息

EEPROM通过电信号擦除指定区域的数据

Flash Memory

闪速存储器,由EEPROM发展而来,可以进行多次快速擦除和重写,但是写入速度比读取更慢。如U盘,SD卡

SSD(Solid State Drives)

固态硬盘,由控制单元和存储单元(Flash芯片)组成,它与Flash Memory的区别在于控制单元不同

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